Основные характеристики
| Бренд | Samsung |
| Емкость | 1 ТБ, 512 ГБ |
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
| Контроллер | Samsung Elpis |
| Назначение | для настольного компьютера, для ноутбука, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
Подключение
| Интерфейсы | PCI-E |
| Стандарт SSD | M.2 |
| Тип разъема M.2 | 2280, B&M |
| Тип PCI-E | PCI-E 4.0 x4 |
| Макс. скорость интерфейса | 8000 МБ/с |
Параметры накопителя
| Скорость чтения | 7000 МБ/с |
| Скорость записи | 5100 МБ/с |
| Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) | 900000 IOPS |
Ударостойкость и ресурс работы
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 300 ТБ |
Функции
| Поддержка технологий | NVMe, TRIM |
Дополнительно
| Макс. рабочая температура | 70 °C |
| Потребляемая мощность | 5.8 Вт |
| Высота | 2.2 мм |
| Длина | 80.15 мм |
| Ширина | 22 мм |
| Вес | 10 г |
| Дополнительная информация | OEM |