Основные характеристики Модель MZ-V9P1T0CW Объем накопителя ТБ 1 ТБ Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCIe 4.0 x4 Разъем M.2 Тип памяти NAND 3D TLC Поддержка NVMe есть Объем DRAM буфера 1024 МБ Скорость Максимальная скорость чтения 7450 МБ/с Максимальная скорость записи 6900 МБ/с Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1550000 Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1200000 Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1550000 Ресурс Ресурс TBW 600 ТБ Время наработки на отказ 1500000 ч Ударостойкость при работе 1500 G Ударостойкость при хранении 1500 G Энергопотребление Потребляемая мощность 7.8 Вт Потребляемая мощность в режиме ожидания 0.05 Вт Особенности Совместимость с PS5 да Радиатор охлаждения есть Упаковка Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.16x0.1x0.02 м Вес упаковки (ед) 0.122 кг