Оперативная память для ноутбука Hynix 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 HMT351S6EFR8C-PB

Тип памяти	DDR3
Форм-фактор	SODIMM
Количество контактов	204
CL	11
tRCD	11
tRP	11
tRAS	11
Напряжение питания	1.5 В
Пропускная способность	12800
Особенности	Unregistered

Характеристики

Бренд	Hynix
Тип памяти	DDR3
Форм-фактор	SODIMM
Пропускная способность	12800
CL	11
tRCD	11
tRP	11
tRAS	11
Количество чипов каждого модуля	16
Напряжение питания	1.5 В
Количество рангов	2
Количество контактов	204
Упаковка чипов	двусторонняя
Особенности	Unregistered
Дополнительная информация	Напряжение питания, В: 1.5

Электронный каталог, содержащий описания и цены товаров в интернет-магазинах. Предложение не является публичной офертой.
Все указанные бренды принадлежат их правообладателям. Сервис предоставляет аналитические данные и не связан с указанными брендами.